STGP10NB60S和STGP8NC60KD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STGP10NB60S STGP8NC60KD IRGB10B60KDPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220INTERNATIONAL RECTIFIER  IRGB10B60KDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 22A 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 10.0 A - 22.0 A

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 80 W 65 W 156 W

漏源极电压(Vds) 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 80 W 65 W 156 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW 65000 mW -

反向恢复时间 - 23.5 ns -

产品系列 - - IRGB10B60KD

上升时间 - - 20.0 ns

热阻 - - 0.8℃/W (RθJC)

长度 10.4 mm - 10.66 mm

宽度 4.6 mm - -

高度 9.15 mm - 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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