FQU7N20TU和IRFU210PBF

对比图

型号 FQU7N20TU IRFU210PBF FQU4N20TU

描述 N沟道 200V 5.3ATrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3Pin(3+Tab) IPAKTrans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 5.30 A - 3.00 A

漏源极电阻 690 mΩ - 1.40 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V - 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.30 A - 3.00 A

上升时间 65 ns - -

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds) 220pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 35 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

长度 6.8 mm - -

宽度 2.5 mm - -

高度 6.3 mm - -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -