对比图
型号 IRF7832 IRF7832TR NTMFS4935NT1G
描述 SOIC N-CH 30V 20ASOIC N-CH 30V 20AN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.50 W 2.5W (Ta) 48 W
产品系列 IRF7832 IRF7832 -
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A -
上升时间 12.3 ns 12.3 ns 20 ns
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.0027 Ω
阈值电压 - - 1.63 V
输入电容(Ciss) - 4310pF @15V(Vds) 4850pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 930 mW
下降时间 - - 6.6 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 930mW (Ta), 48W (Tc)
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5.1 mm
宽度 - - 6.1 mm
高度 - - 1.1 mm
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20
工作温度 - -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)