对比图
型号 SI4425DDY-T1-GE3 SI4427BDY-T1-GE3 IRF9321PBF
描述 VISHAY SI4425DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 VMOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5VINFINEON IRF9321PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -30 V, 5.9 mohm, -10 V, -1.8 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - - 1.5 W
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0081 Ω 0.0088 Ω 0.0059 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 5.7 W 1.5 W 2.5 W
阈值电压 - - 1.8 V
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - -12.6 A 15A
输入电容(Ciss) - - 2590pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1500 mW 2.5W (Ta)
上升时间 - 15 ns -
下降时间 - 110 ns -
长度 - - 4.98 mm
宽度 - - 3.99 mm
高度 - 1.55 mm 1.57 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -