对比图
型号 FDPF18N50T STP15NK50ZFP FQPF18N50V2SDTU
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP15NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道 500V 18A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 18.0 A 14.0 A -
通道数 1 - -
漏源极电阻 265 mΩ 0.34 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 38.5 W 40 W 69 W
输入电容 2.86 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 72.0 A 14.0 A 18A
上升时间 165 ns 23 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 2260pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 38.5 W 40 W -
下降时间 90 ns 15 ns 110 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38.5W (Tc) 40W (Tc) -
额定功率 - 40 W -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3.75 V -
长度 10.36 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 16.07 mm 9.3 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99