对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BD159G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新TRANSISTOR NPN 350V 500mA TO-126塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) 350 V - 350 V
额定电流 500 mA - 500 mA
针脚数 3 - -
极性 NPN - NPN
耗散功率 20 W 20 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V
集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30
额定功率(Max) 20 W 20 W 20 W
直流电流增益(hFE) 30 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 50 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW -
最大电流放大倍数(hFE) - - 240
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
长度 - - 7.74 mm
宽度 - - 2.66 mm
高度 - - 11.04 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tube Bulk
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -