对比图
型号 FQP7N80C STP5NK80Z STP7NK80Z
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V
额定电流 6.60 A 4.30 A 5.20 A
额定功率 - 110 W 125 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.57 Ω 1.9 Ω 1.8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 167 W 110 W 125 W
阈值电压 5 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.60 A 4.30 A 5.20 A
上升时间 100 ns 25 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1680pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds) 1138pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 167 W 110 W 125 W
下降时间 60 ns 30 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 167W (Tc) 110000 mW 125000 mW
通道数 - 1 -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99