DS1265AB-70IND+和DS1265Y-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265AB-70IND+ DS1265Y-70IND+ DS1265AB-70+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

引脚数 - - 36

存取时间 70 ns 70 ns 70.0 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - - 70.0 GHz

内存容量 - - 1000000 B

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

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