对比图
型号 BSN254A BSS123-7-F 2N6660
描述 N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors三极管晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 SPT SOT-23-3 TO-39-3
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 6 Ω 3 Ω
耗散功率 1.00 W 300 mW 6.25 W
阈值电压 - 1.4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 250 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 - 100 V 60 V
输入电容(Ciss) - 60pF @25V(Vds) 50pF @24V(Vds)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 6.25W (Tc)
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 0.31A 170 mA -
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 170 mA -
额定功率 - 0.3 W -
输入电容 - 60 pF -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 8 ns -
额定功率(Max) - 300 mW -
下降时间 - 8 ns -
封装 SPT SOT-23-3 TO-39-3
长度 - 2.9 mm -
宽度 - 1.3 mm -
高度 - 1 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - 0.0001279130568 kg -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -