BSN254A和BSS123-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSN254A BSS123-7-F 2N6660

描述 N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors三极管晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SPT SOT-23-3 TO-39-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 6 Ω 3 Ω

耗散功率 1.00 W 300 mW 6.25 W

阈值电压 - 1.4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 250 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 - 100 V 60 V

输入电容(Ciss) - 60pF @25V(Vds) 50pF @24V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 6.25W (Tc)

极性 N-Channel N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 0.31A 170 mA -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 170 mA -

额定功率 - 0.3 W -

输入电容 - 60 pF -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 8 ns -

额定功率(Max) - 300 mW -

下降时间 - 8 ns -

封装 SPT SOT-23-3 TO-39-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 - 0.0001279130568 kg -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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