对比图
型号 FDG8842CZ SI1539CDL-T1-GE3 SSM6L09FUTE85LF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG8842CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 750 mA, 30 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 1 VSI1539CDL-T1-GE3 编带Mosfet n/p-Ch 30V 0.4A/0.2A Us6
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Toshiba (东芝)
分类 MOS管RF模块、IC及配件MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-6
引脚数 6 6 -
漏源极电压(Vds) 30V, 25V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 120pF @10V(Vds) - 20pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW - 300 mW
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.25 Ω 0.323 Ω -
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel -
耗散功率 360 mW 0.29 W -
阈值电压 1 V 1.2 V -
连续漏极电流(Ids) 750 mA 700mA -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 360 mW 340 mW -
封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-6
长度 2 mm - -
宽度 1.25 mm - -
高度 1 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -