对比图
型号 FCD5N60TM STD6N62K3 STD5NM60T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCD5N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 650 V, 950 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.95 Ω 0.95 Ω 1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 54 W 90 W 96 W
阈值电压 5 V 3.75 V 4 V
输入电容 600 pF 875 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 620 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.60 A 5.5A 5.00 A
上升时间 40 ns 12 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) 706pF @50V(Vds) 400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 54 W 90 W 96 W
下降时间 22 ns 20 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 54W (Tc) 90W (Tc) 96W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 4.60 A - 5.00 A
栅电荷 16.0 nC - -
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
额定功率 - - 96 W
通道数 - - 1
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99