PD55003S-E和PD55003TR-E

对比图

型号 PD55003S-E PD55003TR-E PD55003S

描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电流 2.5 A 2.5 A 2.5 A

耗散功率 31.7 W 31700 mW 31.7 W

输出功率 3 W 3 W 3 W

增益 17 dB 17 dB 17 dB

测试电流 50 mA 50 mA 50 mA

输入电容(Ciss) 36pF @12.5V(Vds) 36pF @12.5V(Vds) -

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 31700 mW 31700 mW -

额定电压 40 V 40 V 40 V

额定电压(DC) 40.0 V - -

漏源极电压(Vds) 40 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.50 A - 2.50 A

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 40.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -