BC33716BU和BC33716TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC33716BU BC33716TA BC337G

描述 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  BC337G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 100 MHz 100 MHz 210 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 800 mA 800 mA 800 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

增益频宽积 - - 210 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 60 60 630

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

最大电流放大倍数(hFE) 630 - -

长度 4.58 mm 4.58 mm 5.2 mm

宽度 3.86 mm 3.86 mm 4.19 mm

高度 4.58 mm 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Box Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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