BSH114和BSH114,215

对比图

型号 BSH114 BSH114,215 BSH114TRL13

描述 N沟道增强型网络场效晶体管 N-channel enhancement mode field effect transistorN 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsTRANSISTOR 850 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 0.85A 850 mA -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.4 Ω -

耗散功率 - 830 mW -

阈值电压 - 3 V -

上升时间 - 13 ns -

输入电容(Ciss) - 138pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 360 mW -

下降时间 - 5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -