BUK9875-100A和ZXMN10A25GTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9875-100A ZXMN10A25GTA FDT3612

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN沟道 100V 2.9APowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 4 3

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 8 W 3.9 W 3 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 4A 10.2 A

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 3.70 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 120 mΩ

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 632 pF

栅电荷 - - 14.0 nC

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - 3.7 ns 2 ns

输入电容(Ciss) - 859pF @50V(Vds) 632pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 1.1 W

下降时间 - 9.4 ns 4.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2W (Ta) 3 W

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 3.56 mm

高度 - - 1.6 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

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