IRF1404ZSPBF和STB120N4F6

对比图

型号 IRF1404ZSPBF STB120N4F6 STB200NF04T4

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 190A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 3.7 mΩ 4 mΩ 3.70 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 220 W 110 W 310000 mW

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 190 A 80A 120 A

上升时间 - 70 ns 320 ns

输入电容(Ciss) 4340pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 110 W 310 W

下降时间 - 20 ns 120 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110 W 310000 mW

产品系列 IRF1404ZS - -

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 120 A

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -