2N7002DW-7和2N7002DW-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002DW-7 2N7002DW-7-F 2N7002

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 6Pin SOT-363 T/R双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 3

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 115 mA 115 mA 115 mA

额定功率 - - 200 mW

针脚数 - 6 3

漏源极电阻 4.40 Ω 13.5 Ω 1.2 Ω

极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW

阈值电压 - 2 V 2.1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 70.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA 115 mA 120 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 310 mW 0.2 W

输入电容 50.0 pF 50.0 pF -

正向电压(Max) - 1.5 V -

长度 - 2.2 mm 2.92 mm

宽度 - 1.35 mm 1.3 mm

高度 - 1 mm 0.93 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR NLR

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台