对比图
型号 SI4174DY-T1-GE3 STS11NF30L IRF7413ZTRPBF
描述 VISHAY SI4174DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 7.8 mohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0078 Ω 0.0085 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1 V 1 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 12 ns 39 ns 6.3 ns
下降时间 9 ns 16 ns 3.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
输入电容 - - 1210 pF
连续漏极电流(Ids) - 11.0 A 13A
输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds) 1210pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 11.0 A -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±18.0 V -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.25 mm 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -