DS1265AB-100和DS1265AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265AB-100 DS1265AB-70+ DS1265AB-100+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

引脚数 36 36 -

存取时间 100 ns 70.0 ns 100 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) -

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz -

内存容量 8000000 B 1000000 B -

长度 - - 53.34 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 10.29 mm

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

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