对比图
型号 FDD6685 SUD45P03-10-E3 STD30PF03LT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 VMosfet p-Ch 30V 15A 3Pin(2+Tab) DpakSTMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.014 Ω 10 mΩ 0.028 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 52 W 4 W 70 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) -40.0 A 25.0 A, -15.0 A 24.0 A
输入电容(Ciss) 1715pF @15V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 1670pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 52W (Ta) 4W (Ta), 70W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -40.0 A - -24.0 A
针脚数 3 - 3
输入电容 1.71 nF - -
栅电荷 17.0 nC - -
上升时间 11 ns - 122 ns
额定功率(Max) 1.6 W - 70 W
下降时间 21 ns - 26 ns
额定功率 - - 70 W
阈值电压 - - 1 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -