MJE350G和MJE350STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE350G MJE350STU MJE350

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJE350G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFEON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装STMICROELECTRONICS  MJE350  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -300 V - -300 V

额定电流 -500 mA - -500 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

耗散功率 20 W 20 W 20.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

热阻 6.25℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 0.5A - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) 20 W 20 W 20.8 W

直流电流增益(hFE) 240 30 240

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 2800 mW

长度 7.74 mm 8 mm 7.8 mm

宽度 2.66 mm 3.25 mm 2.7 mm

高度 11.04 mm 11 mm 10.8 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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