对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP2614 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 0.0229 ohm, 10 V, 4 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0229 Ω 0.028 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 260 W 136 W
阈值电压 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 62A 34A
输入电容(Ciss) 7230pF @25V(Vds) 1770pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 260 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 260W (Tc) 136 W
额定功率 - 136 W
通道数 - 1
漏源击穿电压 - 200 V
上升时间 - 9 ns
下降时间 - 4 ns
长度 10.67 mm 10 mm
宽度 4.83 mm 4.4 mm
高度 16.51 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17