FDS4435A和TPS1100D

对比图

型号 FDS4435A TPS1100D STS7PF30L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4435A  晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 V单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -15.0 V -30.0 V

额定电流 -9.00 A -1.60 A -7.00 A

输出电压 - -15.0 V -

漏源极电阻 17 mΩ 0.18 Ω 0.016 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 791 mW 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A -1.60 A 7.00 A

上升时间 15 ns 10 ns 54 ns

额定功率(Max) 1 W 791 mW 2.5 W

下降时间 55 ns 2 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 85 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 2.5W (Tc)

阈值电压 - - 1.6 V

漏源击穿电压 -250 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

输入电容(Ciss) 2010pF @15V(Vds) - 2600pF @25V(Vds)

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 3.9 mm - -

高度 1.5 mm - -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -