BC182G和MMBT5087LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC182G MMBT5087LT1G BC548C

描述 放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier TransistorsON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFETransistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92

频率 - 40 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 50.0 V -50.0 V -

额定电流 100 mA -50.0 mA -

额定功率 - 300 mW 500 mW

针脚数 - 3 -

极性 - PNP -

耗散功率 - 225 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 - 0.05A -

最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 5V 250 @100µA, 5V -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 500 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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