FDD5614P和STD10PF06T4

对比图

型号 FDD5614P STD10PF06T4 AOD407

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD5614P  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 VSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V-60V,-12A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -15.0 A -10.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 100 mΩ 0.18 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 42 W 40 W 2.5 W

输入电容 759 pF - -

栅电荷 15.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) -15.0 A 10.0 A 12A

上升时间 10 ns 40 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 759pF @30V(Vds) 850pF @25V(Vds) 1185pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W 40 W 50 W

下降时间 12 ns 10 ns 11 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 42W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

额定功率 - - 25 W

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -