对比图
型号 2N7002DW-7-F 2N7002DW-TP 2N7002DW
描述 双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002DW-TP 场效应管, 双路, N通道, MOSFET, 60V, 115MA, SOT-3FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002DW. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-363
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SOT-363-6 SC-70-6
通道数 - 2 2
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 13.5 Ω 4.4 Ω 1.6 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW
阈值电压 2 V 1.5 V 1.76 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 115 mA 1.00 A 115 mA
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310 mW 200 mW 0.2 W
额定电压(DC) 60.0 V 70.0 V -
额定电流 115 mA 115 mA -
输入电容 50.0 pF 50.0 pF -
漏源击穿电压 70.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
正向电压(Max) 1.5 V - -
上升时间 - 11.0 ns -
长度 2.2 mm - 2 mm
宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.25 mm
高度 1 mm - 1 mm
封装 SC-70-6 SOT-363-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -