对比图
型号 IPW60R299CP STW16N65M5 IPP60R299CP
描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TO-247 N-CH 650V 12AINFINEON IPP60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 96W (Tc) 90 W 96 W
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 12A 11.0 A
上升时间 5 ns 7 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 96 W 90 W -
下降时间 5 ns 8 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 96W (Tc) 90W (Tc) 96 W
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 11.0 A - 11.0 A
输入电容 1.10 nF - -
栅电荷 29.0 nC - -
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.27 Ω
阈值电压 - - 3 V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
长度 16.03 mm - 10 mm
宽度 5.16 mm - 4.4 mm
高度 21.1 mm - 15.65 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17