对比图
型号 BSP 52 E6327 BSP52T1G BSP52T3G
描述 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
输出电压 - 80 V 80 V
输出电流 - 1 A 1 A
电路数 - 4 -
针脚数 - 4 4
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 800 mW 800 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
热阻 - 156℃/W (RθJA) 156℃/W (RθJA)
集电极最大允许电流 - 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V
额定功率(Max) 1.5 W 800 mW 800 mW
直流电流增益(hFE) - 1000 2000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1500 mW 1250 mW 125 W
输入电压 - 5 V 5 V
增益带宽 200 MHz - -
长度 - 6.5 mm 6.7 mm
宽度 - 3.5 mm 3.7 mm
高度 - 1.57 mm 1.75 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -