RTM002P02T2L和RZM002P02

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RTM002P02T2L RZM002P02 RZM002P02T2L

描述 ROHM  RTM002P02T2L  晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mVRZM002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 0.8ohm SOT-723 marking/标记 YK 高速开关 1.2V超低电压驱动P 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-723-3 SOT-723 SOT-723-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

漏源极电阻 1 Ω 2.4 Ω 0.8 Ω

极性 P-Channel P -

漏源极电压(Vds) 20 V -20V 20 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA -0.2A -

针脚数 3 - 3

耗散功率 150 mW - 150 mW

阈值电压 - - 1 V

上升时间 6 ns - 4 ns

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) - 115pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 150 mW - 150 mW

下降时间 45 ns - 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 150mW (Ta) - 150 mW

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -200 mA - -

通道数 1 - -

封装 SOT-723-3 SOT-723 SOT-723-3

长度 - - 1.3 mm

宽度 0.8 mm - 0.9 mm

高度 - - 0.45 mm

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

最小包装 - 8000 -

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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