对比图
型号 STD7NM80 STP7NM80 FQD1N80TM
描述 N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP7NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.95 Ω 0.95 Ω 15.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 90 W 45 W
阈值电压 4 V 4 V 5 V
输入电容 - 620 pF -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 3.25 A 3.25 A 1.00 mA
上升时间 8 ns 8 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 195pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 90 W 2.5 W
下降时间 10 ns 10 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
正向电压(Max) 1.3 V - -
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 1.00 A
漏源击穿电压 - - 800 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 6.6 mm 10.4 mm 6.6 mm
宽度 6.2 mm 4.6 mm 6.1 mm
高度 2.4 mm 15.75 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99