对比图
型号 BCP56-16T1 BCP56-16T3G BCP56T1
描述 NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
频率 - 130 MHz 130 MHz
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A
针脚数 - 4 -
极性 NPN NPN N-Channel
耗散功率 - 1.5 W 1.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.5 W
直流电流增益(hFE) - 25 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1500 mW
集电极击穿电压 - - 100 V (min)
长度 - 6.5 mm -
宽度 - 3.5 mm -
高度 - 1.63 mm -
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99