BCP56-16T1和BCP56-16T3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-16T1 BCP56-16T3G BCP56T1

描述 NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorON SEMICONDUCTOR  BCP56-16T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 - 130 MHz 130 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 4 -

极性 NPN NPN N-Channel

耗散功率 - 1.5 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1500 mW

集电极击穿电压 - - 100 V (min)

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.63 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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