对比图
描述 ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。70A ， 60V ，额定雪崩， N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 70.0 A
漏源极电阻 0.022 Ω 0.014 Ω 14.0 mΩ
极性 - - N-Channel
耗散功率 131 W 150 W 150W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 70.0 A
输入电容(Ciss) 2020pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 131 W 150 W 150W (Tc)
针脚数 3 3 -
阈值电压 4 V 4 V -
上升时间 55 ns 137 ns -
额定功率(Max) 131 W 150 W -
下降时间 13 ns 24 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 4.83 mm 4.83 mm -
高度 9.4 mm 9.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Rail, Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99