BC848CW-7-F和BC849CW,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848CW-7-F BC849CW,115 BC848CW

描述 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin SOT-323 T/RNXP  BC849CW,115  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFETransistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 200mW; SOT323

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-323

耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

直流电流增益(hFE) - 420 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-323

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -

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