AO3409和FDN358P

对比图

型号 AO3409 FDN358P FDN352AP

描述 -30V,-2.6A,P沟道MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN358P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN352AP  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -1.50 A -1.30 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 200 mΩ 180 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 1.4 W 560 mW 500 mW

输入电容 - 182 pF 150 pF

栅电荷 - 4.00 nC 1.40 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.6A 1.50 A -1.30 A

上升时间 - 13 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 370pF @15V(Vds) 182pF @15V(Vds) 150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 460 mW 460 mW

下降时间 - 2 ns 1 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)

额定功率 1 W - -

长度 - 2.92 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -