对比图
型号 BSS138N BSS138NH6327 BSS138LT1G
描述 BSS138N N沟道MOSFET 60V 230mA/0.23A SOT-23/SC-59 marking/标记 SK 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
上升时间 - 3 ns -
输入电容(Ciss) - 32pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)
下降时间 - 8.2 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 360 mW 225 mW
通道数 1 - 1
漏源极电阻 3.5 Ω - 3.5 Ω
耗散功率 360 mW - 225 mW
阈值电压 1 V - 1.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V - 50 V
连续漏极电流(Ids) 230 mA - 200 mA
工作结温(Max) 150 ℃ - -
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 200 mA
额定功率 - - 0.225 W
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
输入电容 - - 40pF @25V
漏源击穿电压 - - 50 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - - 225 mW
长度 - 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 - 1 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99