对比图
型号 IRF9388TRPBF SI4825DDY-T1-GE3 FDS6675BZ
描述 INFINEON IRF9388TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.0085 ohm, -20 V, -1.8 V 新VISHAY SI4825DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6675BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0085 Ω 0.01 Ω 0.0108 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
通道数 1 - 1
阈值电压 1.8 V - -
输入电容 1680 pF - -
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
漏源击穿电压 30 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 12A - 11.0 mA
上升时间 57 ns - 7.8 ns
输入电容(Ciss) 1680pF @25V(Vds) - 2470pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 1 W
下降时间 66 ns - 60 ns
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99