对比图
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.06Ω; ID 15A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; gFS 4STMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 - 8
漏源极电阻 0.02 Ω 0.0117 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.7 W
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 3480pF @25V(Vds) 724pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) - 2.7W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 15.0 A -
产品系列 IRF7455 -
输入电容 3480pF @25V -
漏源击穿电压 30 V -
连续漏极电流(Ids) 15.0 A -
上升时间 18.0 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ -
额定功率 - -
通道数 - -
下降时间 - -
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm -
高度 1.5 mm -
宽度 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17