对比图
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-226-3 TO-92-3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V
额定电流 50.0 mA 100 mA
极性 NPN NPN
耗散功率 0.25 W 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V
集电极最大允许电流 0.05A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 350 @500µA, 3V 100 @10mA, 10V
额定功率(Max) 250 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) - 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 625 mW
频率 100 MHz -
集电极击穿电压 30.0 V -
最大电流放大倍数(hFE) 1000 -
长度 4.7 mm 5.2 mm
宽度 3.93 mm 4.19 mm
高度 4.7 mm 5.33 mm
封装 TO-226-3 TO-92-3
材质 - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 Box Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99