对比图
型号 FDB070AN06A0 FDB070AN06A0_F085 NTB75N06T4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB070AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。75A,60V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 80.0 A - 75.0 A
漏源极电阻 0.0061 Ω - 9.50 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 175 W 175 W 214 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 75.0 A
上升时间 159 ns 159 ns 112 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 4510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 175 W - 2.4 W
下降时间 35 ns 35 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 175 W 175W (Tc) 2.4 W
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
输入电容 3.00 nF - -
栅电荷 51.0 nC - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 11.33 mm 9.65 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99