MJE182和MJE182G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE182 MJE182G

描述 MJE182G 盒装ON SEMICONDUCTOR  MJE182G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 12 hFE 新

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-225 TO-126-3

额定电压(DC) 100 V 80.0 V

额定电流 3.00 A 3.00 A

极性 NPN NPN

耗散功率 12.5 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 80 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 50 50 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 250 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 12500 mW 12500 mW

频率 - 50 MHz

针脚数 - 3

热阻 - 10℃/W (RθJC)

额定功率(Max) - 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 50

封装 TO-225 TO-126-3

长度 - 7.8 mm

宽度 - 3 mm

高度 - 11.1 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Box Bulk

最小包装 500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR

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