对比图
型号 IDT05S60C SDT12S60 IDT04S60C
描述 第二代的thinQ ！ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 肖特基二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-220 TO-220-2 TO-220
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 5.00 A 12.0 A 4.00 A
输出电流 ≤5.00 A ≤12.0 A ≤4.00 A
正向电压 1.70 V 1.7V @12A 1.7 V
极性 Standard Standard Standard
电容 - 450 pF -
反向恢复时间 - 0 ns -
正向电流 - 12 A 4 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - 36 A 32 A
正向电压(Max) - 1.7V @12A -
正向电流(Max) - 12 A -
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 88200 mW -
封装 TO-220 TO-220-2 TO-220
长度 - 9.9 mm 9.9 mm
宽度 - 4.4 mm 4.4 mm
高度 - 9.2 mm 9.2 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 Contains SVHC Contains SVHC Contains SVHC
工作温度 - 55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃