对比图
型号 MUN5211T1G PDTC114EU,115 MUN5211DW1T1G
描述 ON SEMICONDUCTOR MUN5211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323NXP PDTC114EU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFEON SEMICONDUCTOR MUN5211DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 6
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-6
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
极性 NPN NPN N-Channel, NPN
耗散功率 202 mW 200 mW 0.385 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V 35 @5mA, 10V
额定功率(Max) 202 mW 200 mW 250 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310 mW 200 mW 385 mW
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 30 -
电源电压 - - 2 V
宽度 1.24 mm 1.35 mm 1.25 mm
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-70-6
长度 - 2.2 mm 2 mm
高度 - 1 mm 0.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -