对比图
型号 IRF3415S IRF3415STRLPBF IRF3415SPBF
描述 D2PAK N-CH 150V 43AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF3415SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 200 W 3.8 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.042 Ω 0.042 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W 200 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 2400 pF 2400pF @25V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 43.0 A 43A 43A
上升时间 55 ns 55 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.8 W -
下降时间 69 ns 69 ns 69 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
额定电压(DC) 150 V - -
额定电流 43.0 A - -
产品系列 IRF3415S - -
漏源击穿电压 - - 150 V
热阻 - - 0.75℃/W (RθJC)
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 6.22 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17