FJV992PMTF和MMBT2907ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV992PMTF MMBT2907ALT1G MMBT4403LT3G

描述 小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFENPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 50 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -120 V -60.0 V -40.0 V

额定电流 -50.0 mA -600 mA 600 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.3 W 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 60 V 40 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1mA, 6V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 200 100

额定功率 - 300 mW -

输入电容 - 30 pF -

上升时间 - 40 ns -

下降时间 - 30 ns -

长度 2.9 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 2.64 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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