BSS123L和BSS123LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS123L BSS123LT1G 2N7002E

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 2.98 ohm, 10 V, 1.405 VN 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 300mA SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Panasonic (松下)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

耗散功率 360 mW 225 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

输入电容(Ciss) 21.5pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 225 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360mW (Ta) 225mW (Ta) 350mW (Ta)

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 170 mA -

额定功率 - 0.225 W -

无卤素状态 - Halogen Free -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 2.98 Ω 6 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

阈值电压 1.405 V 800 mV -

输入电容 - 20pF @25V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 0.17A 170 mA -

正向电压(Max) - 1.3 V -

高度 - 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -

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