MMBF170和TP0604N3-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF170 TP0604N3-G MMBF170LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 VTrans MOSFET P-CH 40V 0.43A 3Pin TO-92 BagON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Supertex (超科) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92 SOT-23-3

额定功率 - 0.74 W 0.225 W

漏源极电阻 5 Ω 2.00 Ω 5 Ω

极性 N-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 300 mW 1.00 W 225 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 40 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

阈值电压 2.1 V - 3 V

输入电容 40.0 pF - 60 pF

漏源击穿电压 60.0 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA - 500 mA

输入电容(Ciss) 40pF @10V(Vds) - 60pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW - 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300mW (Ta) - 225mW (Ta)

封装 SOT-23-3 TO-92 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.93 mm - 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - 8541900000 -

香港进出口证 - - NLR

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