VND7N0413TR和VND7N04TR-E

对比图

型号 VND7N0413TR VND7N04TR-E VND7N04-E

描述 VND7N04系列 N沟道 42 V 0.14 Ohm 自保护 功率MOSFET-TO-252-3VND7N04 单通道 低边 自保护 42 V 7 A 0.14 Ohm 功率MOSFET -TO-252-3晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 42 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 11 A 11 A

供电电流 0.25 mA 0.25 mA 0.25 mA

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 140 mΩ 140 mΩ 0.14 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 60 W 60 W

漏源击穿电压 42 V 42.0 V 42.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.00 A

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输出电流(Max) 4 A 4 A 4 A

输出电流(Min) 4 A 4 A 4 A

输入数 1 1 1

工作温度(Max) - 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60000 mW

输入电压 - 18 V 18 V

额定电压(DC) 42.0 V - -

额定电流 7.00 A - -

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) - - 42 V

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99