对比图
型号 IRFBC40ASPBF STB5N62K3 STB4NK60ZT4
描述 功率MOSFET Power MOSFETN沟道620 V， 1.28欧姆， 4.2 SuperMESH3功率MOSFET N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB4NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 1.28 Ω 1.76 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 70 W 70 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 620 V 600 V
漏源击穿电压 - 620 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 6.20 A 4.2A 2.00 A
上升时间 23 ns 8 ns 9.5 ns
输入电容(Ciss) 1036pF @25V(Vds) 680pF @50V(Vds) 510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 70 W 70 W
下降时间 18 ns 21 ns 16.5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 70000 mW
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 4.00 A
针脚数 - - 3
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99