对比图
型号 FDPF18N50 STP15NK50ZFP SIHF18N50D-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP15NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 VVISHAY SIHF18N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.22 Ω 0.34 Ω 0.23 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 38.5 W 40 W 39 W
阈值电压 5 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
上升时间 165 ns 23 ns 36 ns
输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 2260pF @25V(Vds) 1500pF @100V(Vds)
下降时间 90 ns 15 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38.5W (Tc) 40W (Tc) 39 W
输入电容 2.86 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 14.0 A -
额定功率(Max) 38.5 W 40 W -
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 14.0 A -
额定功率 - 40 W -
长度 10.16 mm 10.4 mm 10.63 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.83 mm
高度 9.19 mm 9.3 mm 9.8 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -