MUN5135T1和MUN5135T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5135T1 MUN5135T1G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP

耗散功率 310 mW 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 202 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 310 mW

无卤素状态 - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - 80

高度 0.85 mm -

封装 SC-70-3 SC-70-3

宽度 - 1.24 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99

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